同(tóng)花(huā)順（300033）金融(róng)研究中(zhōng)心6月17日(rì)訊，有(yǒu)投資者向(xiàng)立(lì)昂微（605358）提(tí)問， 請(qǐng)問貴公司的輕摻、重(zhòng)摻工(gōng)藝，是(shì)針對(duì)抛光片的(de)，還是(shì)針對(duì)外延片的(de)生(shēng)産工藝(yì)。謝謝！

　　公司回答(dá)表示，尊(zūn)敬的投資者(zhě)：您好(hǎo)，感謝您對本公司的(de)關注。矽抛(pāo)光片(piàn)由矽研磨片經(jīng)過後(hòu)續抛光、清(qīng)洗等精(jīng)密加工(gōng)而成(chéng)；矽外延片(piàn)是指(zhǐ)在矽(xī)單晶(jīng)襯底上(shàng)外(wài)延生(shēng)長一層(céng)或多層(céng)矽單晶(jīng)薄(báo)膜的材料。矽抛光片按(àn)照(zhào)摻雜(zá)程度(dù)不同分為輕摻(chān)矽抛光片(piàn)和重摻矽(xī)抛光(guāng)片，摻(chān)雜元(yuán)素的(de)摻入量越大，矽抛光(guāng)片的電(diàn)阻率越低。輕摻矽抛光片廣泛(fàn)應用于(yú)大規模集成電(diàn)路的制(zhì)造，也有(yǒu)部分用作矽外延片的(de)襯底材料。重摻矽抛光(guāng)片一般(bān)用作矽外延(yán)片的襯底(dǐ)材料(liào)。根據襯(chèn)底(dǐ)片的摻雜濃度(dù)不同(tóng)，分為輕摻雜襯(chèn)底外延片和重摻雜襯底外延(yán)片，前(qián)者通(tōng)過生長高(gāo)質量(liàng)的外延(yán)層，可以提高cmos栅氧化層完整性、改(gǎi)善溝(gōu)道漏電、提(tí)高集成電(diàn)路(lù)可靠性，後者結(jié)合了重(zhòng)摻雜(zá)襯底片和(hé)外延層(céng)的特點，在保證(zhèng)器件反(fǎn)向擊穿(chuān)電(diàn)壓的(de)同時又(yòu)能有效(xiào)降低器件(jiàn)的正(zhèng)向(xiàng)功耗。謝(xiè)謝。

本(běn)文轉載(zǎi)自長(zhǎng)江有色(sè)金(jīn)屬網，内(nèi)容均來自(zì)于互(hù)聯網(wǎng)，不代表本(běn)站觀(guān)點，内(nèi)容版(bǎn)權歸屬(shǔ)原作者(zhě)及站點所(suǒ)有，如有對您(nín)造(zào)成影(yǐng)響，請(qǐng)及時聯系(xì)我們予以删除(chú)！